薄膜太阳能应用--硒化锑（Sb2 Se3）薄膜厚度测量

　　硒化锑是一种潜在的，且非常有前景的太阳能电池吸光层材料，具有如下优势：

　　1. 硒化锑为直接带隙材料，禁带宽度为1.15 eV，非常接近硅(1.12 eV)，理论光电转换效率>30%;

　　2. 硒化锑为简单二元化合物，物相唯一，且可在较低温度(<300 ℃)实现高质量薄膜生长，可降低生产能耗;

　　3. 硒化锑的原料价格低廉。

　　以下是一个沉积在金材料基底上的硒化锑薄膜样品的厚度测量，测量仪器型号：MProble VisNIR(450-1700nm光谱范围)

图1. 样品中不同三个测量点的硒化锑薄膜反射光谱，从反射光谱中可以看出样品厚度不均匀，三个测量点的厚度不一样。同时，硒化锑在可见光至750nm范围内存在吸收。

图2. 曲线拟合结果显示，硒化锑薄膜的厚度为818.6nm

图3. 硒化锑的光学常数(n和k)通过柯西模型(CauchyK)得到